EP-BX6SE システム

1枚差し SD-RAM
動作 FSB 最高値 [MHz]
高温環境編

チップ/モジュール チップ
製造週*1
2.2.2 *2
3.3.3
高温*3
最高*4
高温*3
最高*4
Apacer AM2V648A8W65
/Apacer (PC150 CL3 128MB)		 0002A 　
NG
 　
156*5
F 81F64442C-102FN 9841F79Z
/Melco MTSD-W256M2
(PC100 CL2 256MB)		 　 　
123
 　
138
GeIL 6L8M84TG7
/GeIL (PC133 CL3 128MB)		 0107
0109
120
121
163
<-*6
Green Memory
G64SD16M8PC-7 MV7870
(PC100 256MB)		 101-TWN 　
158
 　
159
Green Memory
G64SD16M8PC-7 MV7870
/Green (PC133 128MB)		 101-TWN 　
139
 　
164
Hyundai HY57V28820AT-K
/Century (PC133 CL2 256MB)		 106A
146
149
161
164
Infineon HYB39S64400BT-8
(PC100 CL2 128MB)		 0004 0006 0008 0014
138
138
164
<-

Micron 48LC8M8A2-8E B
(PC100 CL2 128MB)

 9908
127
134
163
<-

Micron 48LC8M8A2-7E C
(PC133 CL2 128MB)

 0024
143
151
162
169
Mosel Vitelic V54C365804VBT8PC
(PC100 CL2 128MB)		 9827 9849 　
116
 　
>=155
*7
Mosel Vitelic V54C365804VBT8PC
(PC100 CL2 128MB)		 9842 　
122
　
>=155
Mosel Vitelic V54C365804VBT8PC
(PC100 CL2 128MB)		 9915 9919 　
116
 　
>=155
Mosel Vitelic V54C365804VCT8PC
(PC100 CL2 128MB)		 9948 9950
143
143
161
<-
Mosel Vitelic V54C365804VCT8PC
(PC100 CL2 128MB)		 0016
149
152
164
166
NCP NP33S886400K-8
(PC100 CL2 128MB)		 9947
142
144
162
<-
NCP NP33S168128K-8
(PC100 256MB )		 0035 　
154
 　
>=161
PQI PQ3S816S75
/PTC (PC133 128MB)		 0044 　
157
 　
164
Siemens HYB39S64800AT-7.5
/Apacer(PC133 CL3 128MB)		 9916 　
125
 　
>=155
Tonicom TM31S1280848-6F
/Tonicom SIM BGA PC-166
(PC166 128MB)		 0111Y 　
148
 　
165
Toshiba TC59SM708FT-80 00179AX
/Century SC256M64H2-100
(PC100 CL2 256MB)		 　 　
125
 　
>=155
  1. 上記表中のデータは，数多く市場に出回っている製品の中の1個体による測定データである。
  2. (*1)チップ製造週は，チップの刻印データの中で一般的に「製造週である」と信じられている部分を記載したものであり，チップメーカーが公開しているものではない。
  3. (*2)表中のx.y.z (例えば 2.2.2や2.2.3) は，SD-RAM のデータ転送タイミング[クロック数]のBIOS設定値を表す。ただし，
    x : CAS Latency Time
    y : RAS-to-CAS Delay
    z : RAS Precharge Time 。
    North Bridge Tune for 440BX を用いていくつかのSD-RAMを点検したところ，調べた範囲内では，どのSD-RAMもBIOS設定通りのタイミングで動作していることが，確認された。
    SD-RAMの動作タイミングについては，ここで詳しく解説されている。
  4. (*3)ここでは，電源投入時のシステム温度 BIOS表示値が 30℃以上の，高温環境下での測定値を示す。
  5. (*4)過去に測定された最高記録を示す。
  6. (*5)各タイミングにおける動作FSB 最高値[MHz]を表す。ただし，DIMM1 スロットでの値である。
  7. (*6)過去の測定が不十分であった，などの理由により，今回の高温環境下での測定値によって最高記録が塗り替えられたことを示す。ただし，GeILメモリについてはここを参照のこと。
  8. (*7)不等号で表された表記 >=155 は，FSB155MHzでの動作は確認されたが，156MHz以上での動作は未確認であることを，表す。

こねくとみの考察

  1. ここでの最高記録のほとんどが，厳冬期の低温環境下で記録されたものである。DRAMチップの種類によって個性に違いがあるようだが，SD-RAMモジュールの動作も熱の影響を受けることが伺われる。

動作判定基準

　プログラム スーパーπ による円周率 104万桁計算完了でもって，動作確認済みとする。ただし，104万桁の計算結果を点検していないので，スーパーπの設定計算精度範囲内で正確に円周率が求められたかどうかは，定かでない。

動作試験環境

マザーボード: Epox EP-BX6SE
マザーボードI/O電圧: 3.40V (EP-BX6SE標準)
CPU: Intel PentiumIII FC-PGA
CPU Socket370 -> Slot1 変換カード; 使用
CPU冷却: 空冷
CPUコア電圧: 1.50V 〜 1.80V
OS: Microsoft Windows2000 Professional

システムの詳細はここで。

警　告

　オーバーする，つまり超えるとは，ハードウェアベンダーの動作保証の範囲を超えた使い方をするということでもあります。　例えここで得た情報を元にオーバークロッキングを試みて，損害が発生し賠償責任が生じたとしても，オーバークロッキングを試みたあなたご自身の責任となります。

　

　

　

こねくとみ

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パソコンに関する情報サイトのいくつかをご紹介します。

BABY OverClocker " yo-chi " Home Page
SD-RAM他のクロックアップ耐性報告を集計しています。

tanuki の世界
SD-RAM他基本パーツに関する情報が豊富です。

Over Clocker's Dream
インテル製CPUのクロックアップ耐性報告を集計しています。

SD-RAMの技術資料を公開しているサイトをいくつかご紹介します。

IBM:
The Functional Description and Timing Diagrams for SDRAM Operation

Micron;
SDRAM Technical Notes

　

シリーズ
明日の日本社会へ

科学技術立国の道険し・・・
リンク集：身近でできる理科実験紹介

　

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©こねくとみ　08/11/2001 17:09

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